可能许多东说念主齐不知说念，严格的来讲，现时ASML的EUV光刻机，依然发展到了第2代。

除了之前的测试机型之后，矜庞大鸿沟寄托的第一代EUV，即是平凡的EUV，数值孔径NA=0.33，之前像台积电、三星等大鸿沟购买的即是这一种。

其后也许作念了一些创新，但最中枢的参数是同样的，那即是NA=0.33。

直到2024年，ASML研发出了第二代EUV光刻机，也称之为High-NA EUV，这一代的NA从0.33升迁到了0.55。

NA升迁了，有什么酷爱酷爱呢？

先看一个公式，光刻分裂率CD = k1·λ / NA。

λ：EUV 波长固定 13.5nm

NA：数值孔径（0.33→0.55，+67%）

k1：工艺统共（越低越难）

NA越大，其实即是分裂率的越高，NA=0.33时，其分裂率是13nm，到了0.55时，造成了8nm，提高高了70%，就径直可作念单图案化作念2nm/1.4nm，关于先进芯片制造而言，就减少多重曝光。

比如毋庸NA=0.55的光刻机，只用第一代NA=0.33的EUV光刻机，制造2nm/1.4nm芯片也没问题，然而就要多重曝光了，那样良率低了，本钱高了，服从低了。

是以，ASML打的算盘是，当专家要制造2nm或以下芯片晌，来买它的High NA EUV光刻机，这种光刻秘籍4亿好意思元一台，之前的长一代，也就1亿多好意思元，一下子贵了3亿好意思元。

台积电依然明确默示暂时不会买了，到1.4nm，wwwxxx69乃至1.2nm，齐只用第一代EUV，毕竟台积电100多台全换成第二代，本钱太高了，400多亿好意思元，台积电原意我方斥逐小数，也不想花这个钱。

而三星、intel则买了几台，但也未几，后续会不会不绝买，难讲。

不外，当今就斥逐了，因为有了华为的韬（τ）定律，逻辑有点变了，估量接下来High NA EUV光刻机更难卖了，竟然运交华盖啊。

为什么呢？

咱们知说念华为的韬（τ）定律，提的是以时候常数升迁，来转换以往只可靠微缩晶体管带来的升迁。

这个时候不是要推敲EUV光刻机，但给了专家另外一条想想，即我不遴荐起始进的EUV光刻机，也不错通过期候微缩的形势，来提高性能，提高晶体管密度的。

关于晶圆厂而言，接下来确定会试着走这一条路，毕竟毋庸钱买4亿多好意思元一台的EUV，也不错提高工艺，那我为何要用钱去买它呢？

毕竟通过购买EUV来微缩晶体管，当今是性价比太高了，晶体管是有物理尺寸的，齐快达到极限了，而时候微缩，才刚建议来，说不定会有一番突飞大进，从这个角度来研发，较着性价比会更高，后果会更较着。

是以我说，ASML此次真的要怪华为，因为它建议了韬（τ）定律，导致ASML的最新的EUV光刻机，就怕是短时候内不能能热销了，你以为呢？